Intel y Micron presentan la tecnología NAND de 25 nanómetros

La memoria flash NAND almacena datos y otros medios almacenados en productos electrónicos de consumo, y pueden retener la información incluso cuando los equipos están desconectados. "La capacidad para obtener unos procesos NAND más pequeños permite el desarrollo y la presentación permanentes de nuevos usos para la tecnología. El proceso de 25nm no sólo es la tecnología NAND más pequeña, sino que también es la tecnología de semiconductores más reducida del mundo, un logro técnico que impulsa los avances para almacenar más música, videos y otros datos en las aplicaciones informáticas y en los dispositivos electrónicos de consumo actuales", explicó Intel en un comunicado.

Fabricada por IM Flash Technologies (IMFT), la empresa conjunta de Intel y Micron establecida para desarrollar la memoria flash NAND, ha permitido desarrollar el proceso de 25nm y 8 gigabytes(GB) de almacenamiento en un único dispositivo NAND para crear una solución de almacenamiento de alta capacidad para los actuales dispositivos de consumo diminutos. Esta solución mide tan sólo 167 mm2 – lo suficientemente pequeña como para caber en el agujero situado en mitad de un disco compacto (CD), aunque tiene capacidad para guardar más de 10 veces la cantidad de datos de un CD estándar (que puede contener 700 megabytes de datos).

“El liderazgo del sector de los semiconductores con la tecnología de proceso más avanzada representa todo un hito para Intel y Micron, y estamos deseando superar los límites de la capacidad”, ha afirmado Brian Shirley, vicepresidente del grupo de memoria en Micron. “Esta tecnología de producción va a ofrecer unos beneficios importantes a nuestros clientes gracias al desarrollo de unas soluciones de medios de mayor densidad”.

“Con nuestras inversiones continuas en IMFT, proporcionamos una tecnología y una fabricación líderes para, de esta forma, proporcionar la memoria NAND más rentable y fiable”, ha indicado Tom Rampone, vicepresidente y director general del Grupo de Soluciones NAND en Intel. “Esto nos va a servir de ayuda para acelerar la adopción de unas soluciones de discos duros de estado sólido para informática”.

El dispositivo de 25nm y 8GB ya se encuentra en la fase de muestra y las firmas confían en iniciar la etapa de producción generalizada en el segundo trimestre de 2010. Para los fabricantes de electrónica de consumo, el dispositivo ofrece la densidad más alta en un die sencillo de célula multi nivel (multi-level cell, MLC) de 2 bits por célula, para cumplir con el estándar del sector para la tecnología de encapsulado thin small-outline package (TSOP). Se pueden incorporar múltiples dispositivos de 8GB en un encapsulado para aumentar la capacidad de almacenamiento.

El nuevo dispositivo de 25nm y 8GB reduce el número de chips en un 50% en comparación con las generaciones de proceso anterior, lo que permite unos diseños más pequeños, con mayor densidad y un mayor ahorro. De esta manera, podemos ahora contar con una unidad de estado sólido de 256GB con tan sólo 32 dispositivos de este tipo (en vez de los 64 necesarios hasta la fecha), un smartphone de 32GB tan sólo necesita cuatro, y una tarjeta flash de 16GB precisa únicamente de dos.